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J-GLOBAL ID：200903078668450142

半導体素子の製造方法

Inventor： 下西 弘二 ,  江口 勇司
Applicant, Patent owner： 積水化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001227831
Publication number (International publication number)：2002110587
Application date： Jul. 27, 2001
Publication date： Apr. 12, 2002
Summary：

【要約】【課題】 半導体素子の製造工程における電極薄膜等の製造において、大気圧近傍の圧力下で均一なグロー放電プラズマを継続して発生させ、安定してグロー放電プラズマ処理による薄膜の製造方法の提供。【解決手段】 半導体素子における透明導電薄膜、シリサイド薄膜及び金属薄膜などの電極薄膜のプラズマCVD法による形成において、大気圧近傍の圧力下で対向電極間に原料ガスを導入し、該対向電極間にパルス状の電界を印加することにより原料ガスをグロー放電プラズマ化させ、薄膜の形成を行うことを特徴とする半導体素子の製造方法。

Claim (excerpt)：

半導体素子における透明導電薄膜、シリサイド薄膜及び金属薄膜などの電極薄膜のプラズマCVD法による形成において、大気圧近傍の圧力下で対向電極間に原料ガスを導入し、該対向電極間にパルス状の電界を印加することにより原料ガスをグロー放電プラズマ化させ、薄膜の形成を行うことを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/285 ,  C23C 16/515

FI (2)：

H01L 21/285 C ,  C23C 16/515

F-Term (22)：

4K030AA11 ,  4K030AA16 ,  4K030BA02 ,  4K030BA12 ,  4K030BA20 ,  4K030BA29 ,  4K030BA47 ,  4K030CA04 ,  4K030FA01 ,  4K030JA11 ,  4K030JA14 ,  4K030LA15 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB19 ,  4M104BB25 ,  4M104BB28 ,  4M104BB36 ,  4M104DD43 ,  4M104DD44