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J-GLOBAL ID:200903078674619035

放射線検出器

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 長谷川 芳樹 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002034285
Publication number (International publication number):2003232858
Application date: Feb. 12, 2002
Publication date: Aug. 22, 2003
Summary:
【要約】【課題】 2次元的に配列されたシンチレータとフォトダイオードとを正確に対応させて配置することを容易に行うことができるようにする。【解決手段】 フォトダイオードアレイ2の裏面におけるp型半導体層22に対応する位置には、嵌合凹部29が形成されている。また、シンチレータパネル1におけるシンチレータ11の下端部には、フォトダイオードアレイ2に近づくにしたがって幅が狭くなるテーパが付与されている。嵌合凹部29には、シンチレータ11の下端部に形成されたテーパと同一角度のテーパが付与されており、シンチレータ11の下端部を嵌合凹部29に嵌合させるのみで、p型半導体層22に対するシンチレータ11の位置決めを行うことができる。
Claim (excerpt):
2次元状に配列された複数のシンチレータ、および前記複数のシンチレータを一体に固定するシンチレータ固定用部材を有し、前記シンチレータの光出射面側で、前記シンチレータが前記シンチレータ固定用部材よりも突出するシンチレータパネルと、第1導電型の半導体基板の表面側に、前記複数のシンチレータに対応して複数の第2導電型半導体層が形成され、前記第1導電型の半導体基板と各第2導電型半導体層の間に形成されるpn接合によりそれぞれがフォトダイオードとして機能し、前記半導体基板の裏面が前記シンチレータパネルと接合される光入射面となっている裏面入射型のフォトダイオードアレイとを備え、前記フォトダイオードアレイにおける前記光入射面には、前記シンチレータにおける突出した部位が嵌合される嵌合凹部が形成されており、前記フォトダイオードアレイの光入射面に形成された前記嵌合凹部は、前記シンチレータにおける突出した部分の形状に合わせて形成されていることを特徴とする放射線検出器。
IPC (3):
G01T 1/20 ,  H01L 31/02 ,  H01L 31/09
FI (5):
G01T 1/20 B ,  G01T 1/20 E ,  G01T 1/20 G ,  H01L 31/02 A ,  H01L 31/00 A
F-Term (12):
2G088EE01 ,  2G088FF02 ,  2G088GG19 ,  2G088JJ09 ,  2G088JJ37 ,  5F088AA02 ,  5F088BA18 ,  5F088BB07 ,  5F088EA04 ,  5F088GA07 ,  5F088JA17 ,  5F088LA08
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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