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J-GLOBAL ID：200903078677496317

放射線検出方法

Inventor： 岩瀬 義倫
Applicant, Patent owner： 株式会社ジャパンエナジー
Agent (1)： 並川 啓志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993163834
Publication number (International publication number)：1994075052
Application date： Jun. 10, 1993
Publication date： Mar. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】バイアス電圧を休止した場合においても、分解能や検出効率が低下することのない放射線検出方法を提供する。【構成】高抵抗CdTe半導体と、該半導体の一表面上に形成され正孔の注入を防ぐ障壁を有するアノード電極と、該半導体の他の表面上に形成され電子の注入を防ぐ障壁を有するカソード電極とからなる半導体検出器を用いて放射線を検出する方法において、(a)アノード電極・カソード電極間に直流のバイアス電圧を印加して放射線の検出を開始し、(b)バイアス電圧の電圧値をE(V)、アノード電極・カソード電極間の半導体の厚さをd(cm)とした際に、t=(E/d)2/106で定められる時間t(秒)以下の時間、放射線の検出を連続し、(c)その後、前記バイアス電圧の印加を停止するものである。

Claim (excerpt)：

高抵抗CdTe半導体と、該半導体の一表面上に形成され正孔の注入を防ぐ障壁を有するアノード電極と、該半導体の他の表面上に形成され電子の注入を防ぐ障壁を有するカソード電極とからなる半導体検出器を用いて放射線を検出する方法において、(a)アノード電極・カソード電極間に直流のバイアス電圧を印加して放射線の検出を開始し、(b)バイアス電圧の電圧値をE(V)、アノード電極・カソード電極間の半導体の厚さをd(cm)とした際に、t=(E/d)2/106で定められる時間t(秒)以下の時間、放射線の検出を連続し、(c)その後、前記バイアス電圧の印加を停止することを特徴とする放射線検出方法

IPC (2)：

G01T 1/24 ,  H01L 31/09