Pat
J-GLOBAL ID：200903078686363907
気相成長装置及び、それを使用した気相成長方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002340484
Publication number (International publication number)：2004179210
Application date： Nov. 25, 2002
Publication date： Jun. 24, 2004
Summary：
【課題】従来の気相成長装置1及び、それを使用した気相成長方法では、サセプタ4と対向する部分の反応管2内壁に不所望な反応生成物が堆積していき、その部分の熱放射率を大きく変動させた。また、反応生成物がフレーク状となった場合、熱膨張係数の差による膨張/収縮のストレスで反応生成物が剥れてGaAs基板3を汚染した。【解決手段】本発明の気相成長装置101は、横型の反応管2と、GaAs基板3を載置するサセプタ4と、サセプタ4と対向する部分の反応管2内壁に配置した、反応生成物と熱放射率、及び、熱膨張係数が近い材質から成る反応生成物保持体としての薄板102と、反応管2周囲に配置してサセプタ4を電磁誘導により加熱する高周波コイル5と、反応管2内に原料ガス6を供給するガス供給口7と、反応済みガスを排出するガス排気口8とで構成されている。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
横型の反応管中のサセプタに載置した被処理基板に原料ガスを供給しながら、前記被処理基板を加熱し、前記被処理基板に反応生成物を結晶成長させる気相成長装置において、前記サセプタと対向する部分の前記反応管内壁に、前記反応管の材質よりも前記反応生成物と熱放射率、及び、熱膨張係数が近い材質から成る反応生成物保持体を配置したことを特徴とする気相成長装置。
IPC (2)：
FI (2)：
F-Term (11)：
4K030CA04
, 4K030FA10
, 4K030KA02
, 4K030KA08
, 4K030LA14
, 5F045BB02
, 5F045BB14
, 5F045DP04
, 5F045DQ06
, 5F045EC01
, 5F045EC05
