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J-GLOBAL ID：200903078694245590
成膜装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
渡邉 勇 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000070622
Publication number (International publication number)：2001262354
Application date： Mar. 14, 2000
Publication date： Sep. 26, 2001
Summary：
【要約】【課題】 基板を処理室内で均一且つ迅速に加熱して、成膜処理のスループットを向上させると共に、気相成長処理の低温化を図ることができるようにした成膜装置を提供する。【解決手段】 被成膜基板Wを保持する基板保持手段18と、該基板保持手段に保持される基板に対面するように配置される輻射加熱ヒータ20と、基板と加熱ヒータとの間の空間にガスを基板面に平行に流通させるガス流路24,10,26を備えた。
Claim (excerpt)：
被成膜基板を保持する手段と、該基板の保持手段に保持される前記基板に対面するように配置される光源及び又は熱源と、前記基板と前記光源及び又は熱源との間の空間にガスを前記基板面に平行に流通させるガス流路とを備えたことを特徴とする成膜装置。
IPC (2)：
FI (2)：
F-Term (8)：
4K030BA01
, 4K030BA18
, 4K030BA42
, 4K030EA06
, 4K030FA10
, 4K030GA12
, 4K030KA12
, 4K030LA01
