Pat
J-GLOBAL ID：200903078708910702
ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
篠部 正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998124900
Publication number (International publication number)：1999330498
Application date： May. 07, 1998
Publication date： Nov. 30, 1999
Summary：
【要約】【課題】オン電圧が低く、かつ逆バイアス時のリーク電流が少ないショットキーバリアダイオードおよびその製造方法を提供する。【解決手段】n+ サブストレート31上のnエピタキシャル層32内に、p+ 埋め込み領域33が埋め込まれている。nエピタキシャル層32の表面には、ショットキー接合を形成するアノード電極35が設けられ、そのアノード電極35はまた、nエピタキシャル層32の表面層に形成されたp+ コンタクト領域34の表面にも接触している。すなわち、p+ 埋め込み領域33は、p+ コンタクト領域34を介して、アノード電極35と同電位にされている。
Claim (excerpt)：
第一導電型半導体層の表面にショットキー接合を形成する金属のアノード電極を配置し、第一導電型半導体層の裏面側にオーミックなカソード電極を設けたショットキーバリアダイオードにおいて、アノード電極の下方の前記第一導電型半導体層の内部に、表面に達しない第二導電型埋め込み領域を、逆バイアス時に空乏層が連続するような間隔で形成し、その第二導電型埋め込み領域をアノード電極と同電位とすることを特徴とするショットキーバリアダイオード。
FI (2)：
H01L 29/48 F
, H01L 29/48 P
