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J-GLOBAL ID：200903078718723030
赤外発光素子及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
桑井 清一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993092062
Publication number (International publication number)：1994013650
Application date： Mar. 26, 1993
Publication date： Jan. 21, 1994
Summary：
【要約】【目的】 リモコン用赤外LED、フォトカプラ用発光素子の分野で要求の強いGaAs系赤外発光素子の高出力化を量産性よく実現する。【構成】 GaAs系赤外発光素子用ウェハ-11の劈開方向12に対し、少なくとも5°OFFの方向に電極パタ-ンを形成、ダイシング溝入れした後、機械的な力を加えることにより素子を完全分離し、素子の側面積を有効に拡大する。これによりP-N接合近傍で発した光の側面からの光取り出し効率が向上し、光出力が量産性を損なうことなく大幅に改善される。
Claim (excerpt)：
ガリウムヒ素を主たる結晶材料として用い、かつ発光に関与するP-N接合面と交わる素子側面の面積和が、前記P-N接合面と交わらない素子上面または下面の周囲長の大きい方をl、上面と下面の平均間隔をtとした時、l×tよりも大きいことを特徴とする赤外発光素子。
Patent cited by the Patent：
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