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J-GLOBAL ID：200903078733964175

半導体素子不良箇所検出方法

Inventor： 今瀧 智雄 ,  鈴木 守
Applicant, Patent owner： シヤープ株式会社
Agent (1)： 川口 義雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992104181
Publication number (International publication number)：1993152408
Application date： Apr. 23, 1992
Publication date： Jun. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】 エミッション顕微鏡を用いて半導体素子の不良箇所を検出する方法において、不良箇所を自動的に検出できるようにする。【構成】 エミッション顕微鏡1にセットした半導体素子5に対して、低倍率でチップ全体等を観察し、バックグランドを検出する。次に通電して発光させ、バックグランドとの差から発光位置を記憶させる。この記憶位置情報に基づいて発光箇所のいずれかをステージの中央に移動させて倍率を上げ、自動的に倍率を順次上げて所望のデータが得られる例えば最高倍率で発光像を収集する。更に予め記憶させた上記発光位置情報から次の発光像の位置へステージを移動させて次の発光の収集を開始する。

Claim (excerpt)：

エミッション顕微鏡に半導体素子をセットし、低倍率でチップ全体等を観察して発光の位置を記憶させ、この記憶位置情報に基づいて発光箇所のいずれかをステージの中央に移動させて倍率を上げ、自動的に倍率を順次上げて所望のデータが得られる高倍率で発光像を収集し、上記予め記憶させた位置情報を読み出して上記発光位置情報から次の発光像の位置へステージを移動させて次の発光の収集を開始することを特徴とする半導体素子不良箇所検出方法。

IPC (3)：

H01L 21/66 ,  G01N 21/66 ,  G01N 21/88

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭64-072540
  
• 特開昭64-052113
  
• 特開平3-165047