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J-GLOBAL ID：200903078739068511

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 金子 秀樹
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 平田 忠雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998192173
Publication number (International publication number)：2000031355
Application date： Jul. 07, 1998
Publication date： Jan. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】 放熱特性を改善、及び半導体チップの損傷防止が図れるようにした半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 配線パターン、接続用電極、開口を有したFPC6は接着剤5を用いてベース板1上に固定されている。FPC6の開口には、ダイペースト2によりガラス基板3が搭載され、この基板上面には、IC4が設けられている。IC4上には、接着層9を介して放熱板10が固定される。接着層9は、弾性を有した樹脂製の微細径の弾性樹脂ボール8が接着剤に混ぜられており、これにより接着層9の層厚は一定に保たれる。放熱板10上には、高熱伝導樹脂剤11を用いて放熱板12が取り付けられている。この放熱板12は、ベース板1上に立設された放熱用支柱13と固定用ねじ14によりベース板1に固定される。

Claim (excerpt)：

配線パターン及び接続用電極を有する基板が実装されたベース板と、前記基板と電気的に接続された半導体チップと、前記半導体チップが上面に設けられ、下面が前記ベース板上に接着剤を用いて固定されたガラス基板と、接着に必要な厚みを確保できる直径及び弾性を有する樹脂球体を接着剤に混入させた接着層を介して前記ガラス基板の反対側で前記半導体チップに固定された放熱板と、前記放熱板を前記ベース板側へ圧下させる固定手段と、を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 23/36 ,  G09F 9/00 304 ,  G09F 9/33 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/373

FI (6)：

H01L 23/36 D ,  G09F 9/00 304 B ,  G09F 9/33 R ,  H01L 23/12 J ,  H01L 23/36 M ,  H01L 23/36 C

F-Term (25)：

5C094AA33 ,  5C094AA44 ,  5C094BA31 ,  5C094DA09 ,  5C094DA12 ,  5C094DA13 ,  5C094DA20 ,  5C094DB07 ,  5C094EA05 ,  5C094EB02 ,  5C094EB05 ,  5C094FB14 ,  5C094JA08 ,  5F036AA01 ,  5F036BB08 ,  5F036BB21 ,  5F036BC03 ,  5F036BC05 ,  5F036BC33 ,  5F036BE01 ,  5G435AA12 ,  5G435BB06 ,  5G435EE34 ,  5G435EE47 ,  5G435KK09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-327217   Applicant：日本電気株式会社