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J-GLOBAL ID：200903078755163303

磁気抵抗効果型ヘッド

Inventor： 渡辺 克朗 ,  田所 茂 ,  熊谷 昭
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995089021
Publication number (International publication number)：1996287421
Application date： Apr. 14, 1995
Publication date： Nov. 01, 1996
Summary：

【要約】【目的】磁気抵抗効果膜/分離膜/軟磁性薄膜の素子構成を有する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、軟磁性薄膜の飽和磁歪をゼロから+25×10-7の範囲内とすることにより、バルクハウゼンノイズがないヘッドを作製する。【構成】MRヘッドの横方向バイアス磁界を印加するために磁気抵抗効果膜の近傍に、飽和磁歪がゼロから+25.0×10-7 の範囲内にある軟磁性薄膜を配置する。媒体対向面を加工することによって素子高さ方向に引張り応力が作用するため、センス電流を流したときに軟磁性薄膜の磁化が素子高さ方向に十分に回転する。これにより、横バイアス磁界が安定し、バルクハウゼンノイズのない磁気抵抗効果型ヘッドが得られる。

Claim (excerpt)：

磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜のバルクハウゼンノイズを抑制する磁区制御層と、前記磁気抵抗効果膜にセンス電流を供給する一対の電極と、前記磁気抵抗効果膜と非磁性分離膜を介して接する軟磁性薄膜とを有する磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、前記軟磁性薄膜の飽和磁歪の値がゼロから+25×10-7の範囲にあることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。