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J-GLOBAL ID:200903078756804116

ポジ型レジスト組成物

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 萩野 平 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998258835
Publication number (International publication number):2000089462
Application date: Sep. 11, 1998
Publication date: Mar. 31, 2000
Summary:
【要約】【課題】 深紫外線、特にArFエキシマレーザー光に対して、特に残膜率、レジストプロファイルが優れ、現像欠陥の問題を生じないポジ型レジスト組成物を提供することである。【解決手段】 活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、脂環式基とカルボキシル基を有する樹脂、特定の構造のエノールエーテル基を少なくとも2個有する化合物、特定の有機カルボン酸、含窒素塩基性化合物、及びフッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤を含有するポジ型レジスト組成物。
Claim (excerpt):
(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(B)主鎖に脂環式基を有し、且つカルボキシル基を有するポリシクロオレフィン樹脂、(C)下記一般式(I)で表される基を少なくとも2個有する化合物、(D)分子量が1000以下の環状脂肪族有機カルボン酸及び/又はナフタレン環を有する有機カルボン酸、(E)含窒素塩基性化合物、及び(F)フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。【化1】一般式(I)中、R1 〜R3 は、各々独立に、水素原子、置換基を有していてもよい、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。またR1 〜R3 の内の2つが結合して3〜8個の炭素原子あるいはヘテロ原子から成る環構造を形成してもよい。Zは-O-、-S-、-SO2-又は-NH-基を示す。
IPC (5):
G03F 7/039 501 ,  G03F 7/039 601 ,  C08L 65/00 ,  H01L 21/027 ,  C08L 45/00
FI (5):
G03F 7/039 501 ,  G03F 7/039 601 ,  C08L 65/00 ,  C08L 45/00 ,  H01L 21/30 502 R
F-Term (62):
2H025AB15 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BC42 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB41 ,  2H025CB43 ,  2H025CB52 ,  2H025CC04 ,  2H025CC20 ,  4J002BK001 ,  4J002CE001 ,  4J002CH052 ,  4J002CP032 ,  4J002CP082 ,  4J002EB107 ,  4J002EB127 ,  4J002EB147 ,  4J002ED026 ,  4J002ED057 ,  4J002EF088 ,  4J002EF098 ,  4J002EH040 ,  4J002EH050 ,  4J002EH136 ,  4J002EH147 ,  4J002EL106 ,  4J002EN069 ,  4J002EN129 ,  4J002EN139 ,  4J002EQ019 ,  4J002ER029 ,  4J002ES007 ,  4J002ET006 ,  4J002EU026 ,  4J002EU029 ,  4J002EU039 ,  4J002EU049 ,  4J002EU079 ,  4J002EU119 ,  4J002EU129 ,  4J002EU187 ,  4J002EU217 ,  4J002EU239 ,  4J002EV047 ,  4J002EV066 ,  4J002EV187 ,  4J002EV216 ,  4J002EV217 ,  4J002EV249 ,  4J002EV257 ,  4J002EV307 ,  4J002FD020 ,  4J002FD090 ,  4J002FD310 ,  4J002FD312 ,  4J002GP03 ,  4J002HA05

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