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J-GLOBAL ID：200903078759360774

シリコン単結晶ウェーハの処理方法

Inventor： 藤巻 延嘉 ,  片山 正健
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 石原 詔二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992197654
Publication number (International publication number)：1994021033
Application date： Jun. 30, 1992
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 チョクラルスキー法によって引き上げられた単結晶より製造されるシリコン単結晶ウェーハにおける酸化膜耐圧特性の改善を図る。【構成】 チョクラルスキー法によって引き上げられた単結晶より製造されるシリコン単結晶ウェーハを1100〜1300°Cの温度範囲において、酸素又は酸素を含む雰囲気中で、0.5〜24時間の熱処理を施し、この時に形成される酸化膜を除去した後に、当該ウェーハの表面をポリッシュし除去する。

Claim (excerpt)：

チョクラルスキー法によって引き上げられた単結晶より製造されるシリコン単結晶ウェーハを、1100〜1300°Cの温度範囲において0.5〜24時間熱処理を施し、この時に形成される酸化膜を除去した後に、当該ウェーハの表面をポリッシュし除去することを特徴とするシリコン単結晶ウェーハの処理方法。

IPC (3)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/02