Pat

J-GLOBAL ID：200903078760845633

耐食皮膜の形成方法と半導体装置及び光記録媒体

Inventor： 箕輪 恵美子 ,  小林 史朗 ,  藤井 和美 ,  伊藤 雅彦
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 中本 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991208910
Publication number (International publication number)：1993036690
Application date： Jul. 26, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 加工性及び耐食信頼性に優れた耐食皮膜の形成方法とその方法により製造した半導体装置及び光記録媒体を得る。【構成】 半導体配線材料のアルミニウム合金又は銅合金薄膜を真空室内でエッチング後、同真空室内に気化性防錆剤を流入し、アルミニウム合金又は銅合金薄膜上にそれぞれの金属と気化性防錆剤との化合物皮膜を形成するもので、半導体基盤上7に絶縁層6、拡散層及び配線材料3を有する半導体装置において、アルミニウム合金又は銅合金の薄膜でパターニングされた配線材料の側面に気化性防錆剤と配線金属との化合物皮膜4が形成されている。【効果】 本発明により、高耐食性及び高耐酸化性に優れた半導体配線材料の耐食皮膜形成方法を提供することができる。

Claim (excerpt)：

半導体配線材料のアルミニウム合金又は銅合金薄膜を真空室内でエッチング後、同真空室内に気化性防錆剤を流入し、アルミニウム合金又は銅合金薄膜上にそれぞれの金属と気化性防錆剤との化合物皮膜を形成させることを特徴とする半導体配線材料の耐食皮膜の形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/3205 ,  C23F 11/02

FI (3)：

H01L 21/88 M ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 N