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J-GLOBAL ID：200903078766139870
面発光レーザ装置
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
清水 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998307167
Publication number (International publication number)：2000133876
Application date： Oct. 28, 1998
Publication date： May. 12, 2000
Summary：
【要約】【課題】 面発光素子の偏波方向を変調時において、ある一方向に揃えることができ、かつ、単一横モードにおいても、また横マルチモードにおいても偏波制御されて発振することができる面発光レーザ装置を提供する。【解決手段】 半導体基板上に活性層3と、この活性層3を挟む光閉じ込め層からなる中間層と、この中間層の上下に第1及び第2半導体多層反射膜とを有する面発光レーザ装置において、前記活性層3が直径200nm及び厚さ20nm以下のサイズである量子点を有する量子点層3Bと、この量子点層3Bより大きい禁制帯幅を有し、かつ、光学異方性を有するマトリクス層3Aとを具備する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に活性層と該活性層を挟む光閉じ込め層からなる中間層と、該中間層の上下に第1及び第2半導体多層反射膜とを有する面発光レーザ装置において、(a)前記活性層が直径200nm及び厚さ20nm以下のサイズである量子点を有する量子点層と、(b)該量子点層より大きい禁制帯幅を有し、かつ、光学異方性を有するマトリクス層とを具備することを特徴とする面発光レーザ装置。
F-Term (11)：
5F073AA74
, 5F073AA75
, 5F073AA89
, 5F073AB17
, 5F073CA06
, 5F073CA07
, 5F073CA13
, 5F073CA14
, 5F073CA15
, 5F073CB02
, 5F073EA22
Cited by applicant (2)
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量子半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平8-212811
Applicant：富士通株式会社
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面型半導体発光素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平7-070558
Applicant：日本電気株式会社
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