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J-GLOBAL ID：200903078774693844

プラズマ処理装置

Inventor： 大坪 徹
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991289746
Publication number (International publication number)：1993129095
Application date： Nov. 06, 1991
Publication date： May. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】本発明の目的は大口径領域に均一で安定なプラズマを発生させることにより、大口径基板を安定にかつ均一に処理するプラズマ処理装置を提供することにある。【構成】マイクロ波を処理室に供給する空洞共振器を分配用共振器とマイクロ波放射用共振器に分け、空洞共振器の寸法を大きくせず、長さだけを大きくすることにより安定なマイクロ波放射とプラズマ発生領域の拡大を両立した。【効果】本発明により大口径基板の処理が安定で均一にでき、半導体素子、液晶表示素子製造の生産性向上が図れると共に、半導体素子、液晶表示素子製造の歩留まり向上が図れる。

Claim (excerpt)：

空洞共振器に設けたスロットよりマイクロ波を放射し、プラズマを発生させるプラズマ処理方法において空洞共振器をマイクロ波分配用共振器とマイクロ波放射用共振器に分けた構成とすることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4)：

H05H 1/46 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/31