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J-GLOBAL ID：200903078790759340

半導体装置の製造方法

Inventor： 品川 啓介
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 寒川 誠一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993134780
Publication number (International publication number)：1994349786
Application date： Jun. 04, 1993
Publication date： Dec. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置の製造プロセスにおけるイオン注入済のレジストマスクの除去方法に関し、レジストマスク表面に形成されたイオン注入装置の構成材料である金属からなる薄膜が残渣として残留しないようにする除去方法を提供することを目的とする。【構成】 水素と水蒸気と不活性ガスの混合ガスプラズマ処理をなした後、少なくとも酸素を含むガスプラズマのダウンフロー処理をなすか、または、不活性ガスプラズマ処理をなした後、水素と水蒸気の混合ガスプラズマ処理をなし、さらに少なくとも酸素を含むガスプラズマのダウンフロー処理をなすか、または、水素と水蒸気の混合ガスプラズマ処理をなした後、不活性ガスプラズマ処理をなし、さらに少なくとも酸素を含むガスプラズマのダウンフロー処理をなしてイオン注入済のレジストマスクを除去する。

Claim (excerpt)：

水素と水蒸気と不活性ガスの混合ガスプラズマ処理をなした後、少なくとも酸素を含むガスプラズマのダウンフロー処理をなしてイオン注入済のレジストマスクを除去する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/31