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J-GLOBAL ID：200903078806611802

高密度の不揮発性記憶デバイス

Inventor： ボシアン、 ディビッド、 エフ. ,  クアー、 ワーナー、 ジー. ,  リンゼイ、 ジョナサン、 エス. ,  クラウゼン、 ペーター、 クリスティアン ,  グリコ、 ダニエル、 トーマス
Applicant, Patent owner： ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア ,  ノースカロライナ ステイト ユニバーシティ
Agent (1)： 中島 淳 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001508444
Publication number (International publication number)：2003504839
Application date： Jun. 28, 2000
Publication date： Feb. 04, 2003
Summary：

【要約】本発明は、電気的にアドレスすることができて有効な読取り及び書込みを可能にし、高いメモリー密度(102)を提供し、高度のフォールトトレランスを提供しそして効率的な化学的合成やチップ組み立てになじみやすい新規な高密度記憶デバイス(図3)を提供する。これらのデバイスは本来的に出力状態に保持可能であり、欠陥トレランスであり、そして破壊的又は非破壊的読取りサイクルを支持している。好ましい実施態様では、本発明のデバイスは、多数の異なっており且つ識別可能な酸化状態を有する保存媒体と電気的に結合した固定電極を含んでおり、その際データは、上記の電気的に結合した電極を介して1個若しくはそれより多くの電子を上記保存媒体に付加するか又は媒体から除去することによって上記酸化状態で保存される。

Claim (excerpt)：

固定電極を含むデータ保存装置であって、該固定電極は、異なり識別可能である複数の酸化状態を有する保存媒体と電気的に結合しており、データが、該電気的に結合した電極を介して前記保存媒体から1個以上の電子を付加または引き出すことにより前記酸化状態で保存されることを特徴とする、データ保存装置。

IPC (2)：

H01L 21/8247 ,  H01L 27/115

F-Term (7)：

5F083EP01 ,  5F083EP21 ,  5F083ER01 ,  5F083GA09 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平2-060166
  
• スイッチング素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-187357   Applicant：日本電気株式会社
• 電子移動型素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-266517   Applicant：株式会社東芝
• 特開平2-257682
  
• 特開昭62-011159