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J-GLOBAL ID：200903078812562724

導電性高分子の製造方法

Inventor： 木谷 ▲あきら▼ ,  佐々木 和夫 ,  川越 隆博 ,  前田 裕子 ,  大福 英治
Applicant, Patent owner： 株式会社ブリヂストン
Agent (1)： 熊田 和生
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992234135
Publication number (International publication number)：1994056987
Application date： Aug. 11, 1992
Publication date： Mar. 01, 1994
Summary：

【要約】【目的】水に可溶性の導電性高分子を製造することを目的とする。【構成】この出願発明は、アミノベンゼンスルホン酸系化合物又はアミノベンゼンスルホン酸系化合物及びアニリン系化合物を含む単量体を化学酸化重合することにより水に可溶性の導電性高分子を製造する。

Claim (excerpt)：

アミノベンゼンスルホン酸系化合物またはアミノベンゼンスルホン酸系化合物とアニリン系化合物を含む単量体を化学酸化重合することを特徴とする水に可溶性の導電性高分子の製造方法

IPC (2)：

C08G 73/00 NTB ,  C09D 5/08 PPX