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J-GLOBAL ID:200903078814955944

オプトエレクトロニクスデバイス及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993156944
Publication number (International publication number):1994077601
Application date: Jun. 28, 1993
Publication date: Mar. 18, 1994
Summary:
【要約】【目的】 オプトエレクトロニクス装置及びその製造方法を簡単かつ廉価に提供する。【構成】 半導体ダイオードレーザー2 を設けた良好に熱伝導する支持プレート1 を具え、この支持プレート1 に箔5 により支持プレート1 とは分離される導体トラック6,8 を設け、これらの導体トラックに支持プレート1 上に設けられた半導体ダイオードレーザー2 を電気結線19,21 により接続する。箔5 が、支持プレート1,上及びそれを越えて延在し、しかも支持プレート1 に固定され、かつ、支持プレート1 の上の箔5 に空所20を具え、この空所に少なくとも半導体ダイオードレーザー2 を設ける。
Claim (excerpt):
少なくとも1個の半導体ダイオードレーザーを含む少なくとも1個のオプトエレクトロニクス素子(2)を設けた良好に熱伝導する支持プレート(1)を具え、この支持プレート(1)に、電気絶縁媒体(5)により前記支持プレート(1)とは分離される接続導体(6,8)を設け、これらの接続導体(6,8)が前記支持プレート(1)の上に設けられた前記オプトエレクトロニクス素子(2)を、電気結線(19,21)により接続したオプトエレクトロニクスデバイス(10)において、前記電気絶縁媒体(5)が、前記接続導体(6,8)を導体トラックの形態で設けられる細条状の可撓性の箔(5)を具え、前記可撓性の箔(5)が前記支持プレート(1)上及びそれを越えて延在し、しかも前記支持プレート(1)に固定され、かつ、前記支持プレート(1)上の前記箔(5)上に空所(20)を具え、この空所(20)内に、少なくとも前記半導体ダイオードレーザー(2)を設けたことを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
  • 特開平4-349686

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