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J-GLOBAL ID：200903078829115861

単結晶成長装置

Inventor： 奥井 正彦 ,  藤原 俊幸 ,  久保 高行 ,  藤原 秀樹 ,  稲見 修一
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 井内 龍二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993234626
Publication number (International publication number)：1995089790
Application date： Sep. 21, 1993
Publication date： Apr. 04, 1995
Summary：

【要約】【構成】 ルツボ11内の溶融液13を引き上げて単結晶16を成長させる単結晶成長装置10において、ヒータ12からの熱を反射させる反射板24を備えている単結晶成長装置10。【効果】 反射板24を用いることによりヒータ12の熱を有効に利用することができるので、結晶用原料を短時間で溶融することができ、効率化を図ることができると共に、ヒータ12の劣化を抑制することができる。また、ヒータ12の熱を成長後の単結晶16に反射させることができるので、引き上げられる単結晶16の熱履歴を徐冷とすることができ、高品質の単結晶16を製造することができる。従って、このようにして得られた単結晶16から作製されたウエハの酸化膜耐圧検査における良品率を高めることができる。

Claim (excerpt)：

ルツボ内の融液を引き上げて単結晶を成長させる単結晶成長装置において、ヒータからの熱を反射させる反射板を備えていることを特徴とする単結晶成長装置。

IPC (3)：

C30B 15/14 ,  C30B 15/02 ,  C30B 29/06 502