Pat
J-GLOBAL ID：200903078829255043
マイクロ波プラズマ処理装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井内 龍二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992251797
Publication number (International publication number)：1994104098
Application date： Sep. 22, 1992
Publication date： Apr. 15, 1994
Summary：
【要約】【構成】 マイクロ波発振器23と、マイクロ波を伝送する導波管22と、導波管22に接続された誘電体線路21と、誘電体線路21に対向配置されるマイクロ波導入窓14を有する反応器11と、反応器11内に設けられた試料保持部15aとを備えたマイクロ波プラズマ処理装置において、試料保持部15aに高周波電界または直流電界を印加する手段を備え、透過孔32を有するアースされた電極手段30がマイクロ波導入窓14に当接して配置されているマイクロ波プラズマ処理装置。【効果】 試料S表面において安定したバイアス電圧を発生させることができ、透過孔32を透過したマイクロ波によって反応室13内で生成したプラズマのプラズマポテンシャルを安定させ、プラズマ中のイオンエネルギーを適正化し、かつ試料S表面に対してイオンを垂直に照射することができる。したがってシリコンウェハを異方性を有して速いエッチレートにより、安定して均一にエッチングすることができる。
Claim (excerpt)：
マイクロ波発振器と、マイクロ波を伝送する導波管と、該導波管に接続された誘電体線路と、該誘電体線路に対向配置されるマイクロ波導入窓を有する反応器と、該反応器内に設けられた試料保持部とを備えたマイクロ波プラズマ処理装置において、前記試料保持部に高周波電界または直流電界を印加する手段を備え、透過孔を有するアースされた電極手段が前記マイクロ波導入窓に当接して配置されていることを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。
IPC (2)：
Return to Previous Page
