半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：机昌彦 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001349924
Publication number (International publication number)：2003151986
Application date： Nov. 15, 2001
Publication date： May. 23, 2003
Summary：

【要約】【課題】従来技術の自己整合型バイポーラトランジスタの製造方法は、エミッタ形成用の開口部のアスペクト比が大きいため、エミッタ用N +型ポリシリコンの成膜においてボイドが発生し、エミッタ抵抗の増加や信頼性の低下という問題点が発生する。【解決手段】エミッタポリシリコン15を形成する前には、エミッタ形成領域上部の開口に側壁絶縁膜が形成されており、側壁絶縁膜間にレジストを埋め込んで、側壁絶縁膜の上部をエッチング除去し、側壁絶縁膜の高さを低くする。これにより、低くなった側壁絶縁膜13cに埋め込まれるエミッタポリシリコン15がボイドが無い構造となると共に、0.2μm以下の実効エミッタ幅が得られた。

Claim (excerpt)：

一導電型半導体基板の活性領域中に逆導電型の真性ベース及び真性ベースの側部に連結する逆導電型のグラフトベース、さらに真性ベース中に一導電型のエミッタを形成する半導体装置の製造方法であって、前記エミッタの形成が、前記活性領域外の前記半導体基板上に第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜を含む前記半導体基板の表面を覆って、逆導電型の不純物を含有する第1の導電性材料、第2の絶縁膜、第1の耐酸化性膜、第3の絶縁膜を順に堆積させて第1の導電性材料、第2の絶縁膜、第1の耐酸化性膜、第3の絶縁膜からなる積層膜を形成する工程と、前記積層膜のうち前記真性ベースの形成領域を除く領域を除去して前記真性ベースの形成領域上に第1の開口を形成する工程と、前記第1の開口に露出する前記半導体基板の表面を酸化して、前記半導体基板の前記真性ベースの形成領域表面に酸化膜を形成する工程と、前記真性ベースの形成領域に逆導電型の不純物を導入して熱処理し、前記真性ベースの形成領域に真性ベースを形成すると同時に、前記第1の導電性材料から逆導電型の不純物を前記半導体基板中に拡散させてグラフトベースを形成する工程と、前記第1の開口を含む前記半導体基板を覆って、第2の耐酸化性膜及び第4の絶縁膜を堆積させる工程と、前記第4の絶縁膜及び前記第2の耐酸化性膜をエッチングして前記第1の開口の側面に前記第4の絶縁膜及び前記第2の耐酸化性膜からなる側壁を形成し、前記エミッタの形成領域上方の前記第2の耐酸化性膜を除去する工程と、少なくとも前記側壁に挟まれた領域の前記酸化膜をマスク材で覆う工程と、前記マスク材をマスクとして、前記側壁の上層部分及び前記積層膜の上層部分を除去する工程と、前記マスク材を除去して前記酸化膜を露出させ、エッチング処理により前記エミッタの形成領域上方の前記酸化膜を除去して前記エミッタの形成領域を露出させる工程と、前記エミッタの形成領域の露出領域を含む前記半導体基板の表面に一導電型の不純物を含む第2の導電性材料を堆積させる工程と、前記第2の導電性材料に含まれる前記一導電型の不純物を前記エミッタの形成領域に拡散させる工程と、を含む製造工程により形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/331 , H01L 29/732

F-Term (16)：

5F003BB06 , 5F003BB07 , 5F003BB08 , 5F003BC08 , 5F003BE07 , 5F003BE08 , 5F003BH05 , 5F003BH07 , 5F003BP11 , 5F003BP12 , 5F003BP21 , 5F003BP31 , 5F003BP41 , 5F003BP46 , 5F003BP93 , 5F003BS07

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