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J-GLOBAL ID：200903078857381828

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ

Inventor： 鴨川 弘幸
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 川澄 茂
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001331788
Publication number (International publication number)：2003133325
Application date： Oct. 30, 2001
Publication date： May. 09, 2003
Summary：

【要約】【課題】HBTのノンアロイ層表面の平坦性の向上と接触抵抗の低減化を図ると共にHBTの寿命を延ばすことを可能とする。【解決手段】GaAs基板1上に、n型GaAsサブコレクタ層2、n型GaAsコレクタ層3、p型GaAsベース層4、n型AlGaAsエミッタ層6及びn型InGaAsノンアロイ層26、27のエピタキシャル層を積層した構造のHBTにおいて、そのノンアロイ層26、27のうち下側のノンアロイ層26にSiをドーピングし、上側のノンアロイ層27にSeをドーピングする。

Claim (excerpt)：

GaAs基板上に、n型GaAsサブコレクタ層、n型GaAsコレクタ層、p型GaAsベース層、n型AlGaAsエミッタ層及びn型InGaAsノンアロイ層のエピタキシャル層を積層したヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、上記ノンアロイ層のn型ドーパントとしてSeとSiを併用したことを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。

IPC (4)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/207 ,  H01L 29/737

FI (3)：

H01L 29/205 ,  H01L 29/207 ,  H01L 29/72 H

F-Term (5)：

5F003BF06 ,  5F003BM03 ,  5F003BP23 ,  5F003BP24 ,  5F003BP31