Pat

J-GLOBAL ID：200903078858332987

リッジウェイブガイド半導体レーザの製造方法

Inventor： 山内 義則 ,  堀川 英明 ,  後藤 修 ,  八重樫 浩樹
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 清水 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995175300
Publication number (International publication number)：1997027656
Application date： Jul. 12, 1995
Publication date： Jan. 28, 1997
Summary：

【要約】【目的】 閾電流値が低く、発光効率が高いリッジウェイブガイド半導体レーザの製造方法を提供する。【構成】 n-InP基板11上にSiO2 マスク12を形成し、エッチングを行いメサストライプ11Aを形成する。そのメサストライプ11Aの両側に、高抵抗層13を埋め込み成長により、素子を平坦にする。次に、SiO2 マスク12を除去した後、n-InPクラッド層14と、活性層15と、p-InPクラッド層16と、p-InGaAsPコンタクト層17を順次成長させる。次に、SiO2 ストライプマスクを形成し、エッチングによりリッジ18を形成する。次に、SiO2 絶縁膜19を全面に形成後、リッジ18の上部にのみ窓19Aを形成し、p側電極20を形成する。n-InP基板11側にはn側電極21を形成する。このようにして、リッジウェイブガイド半導体レーザの活性層15の下に高抵抗電流ブロック層を導入する。

Claim (excerpt)：

リッジウェイブガイド半導体レーザの製造方法において、(a)第1導電型InP基板上にマスクを形成し、エッチングを行いメサストライプを形成する工程と、(b)該メサストライプの両側に高抵抗層を埋め込み平坦にする工程と、(c)第1導電型InPクラッド層と、活性層と、第2導電型InPクラッド層と、第2導電型InGaAsPコンタクト層を順次成長させる工程と、(d)ストライプマスクを形成し、エッチングによりリッジを形成する工程と、(e)絶縁膜を全面に形成後、前記リッジの上部にのみ窓を形成し電極を形成する工程とを施すことを特徴とするリッジウェイブガイド半導体レーザの製造方法。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 B