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J-GLOBAL ID：200903078858781790

半導体ウエーハ

Inventor： 内藤 伸二
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 秋田 収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993085808
Publication number (International publication number)：1994302484
Application date： Apr. 13, 1993
Publication date： Oct. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体デバイスの製造プロセスにおいて、発塵量の少ない半導体ウエーハを提供する。【構成】 半導体ウエーハ1の主面1Aと対向するその裏面1Bの粗さ精度tを最大高さ1.0μm乃至4.0μmに設定する。

Claim (excerpt)：

半導体ウエーハの主面と対向するその裏面の粗さ精度を最大高さ1.0μm乃至4.0μmに設定したことを特徴とする半導体ウエーハ。