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J-GLOBAL ID：200903078859417099
薄膜表面弾性波フィルタ,及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995260488
Publication number (International publication number)：1996162881
Application date： Oct. 06, 1995
Publication date： Jun. 21, 1996
Summary：
【要約】【課題】 基板上にエピタキシャル成長した圧電層を形成した構造の薄膜表面弾性波(SAW)フィルタにおいて、圧電層の結晶性を劣化させることなく、低損失のフィルタを得る。【解決手段】 表面弾性波の伝搬層である基板1と、該基板1上にエピタキシャル成長により形成された圧電層20との界面に、該圧電層20に不純物をドーピングして形成した電極5W,5Eを配置した構造とした。【効果】 励振された表面弾性波を、これが伝搬する基板上に直接伝達することができ、かつ圧電層20の結晶性の劣化がないため、圧電効率が向上し、低損失のSAWフィルタを製造することができる。
Claim (excerpt)：
基板上にエピタキシャル成長により形成された半導体よりなる圧電層と、上記圧電層の上記基板との界面部分に不純物をドーピングして形成された電極部とを備えたことを特徴とする薄膜表面弾性波フィルタ。
IPC (3)：
H03H 3/08
, H03H 9/145
, H03H 9/25
