多層配線装置及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小池隆彌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997298085
Publication number (International publication number)：1999135623
Application date： Oct. 30, 1997
Publication date： May. 21, 1999
Summary：

【要約】【課題】高密度化、微細化に適する多層配線装置を提供する。【解決手段】基板上に形成された導電性層、該基板上に形成された層間絶縁膜と、該導電性層と接続され、かつ該層間絶縁膜の上表面とほぼ同一の平面をなす表面を有する上層配線層からなり、該層間絶縁膜は少なくとも第1絶縁膜と、該第1絶縁膜に対してエッチングレートの小さい第2絶縁膜と、第3絶縁膜から構成されており、第1絶縁膜、第2絶縁膜には前記導電性層と上層配線層とを接続するコンタクト開口部が形成されており、第3絶縁膜には上層配線層が配置される配線パターン溝が形成された多層配線装置にあって、前記配線パターン溝の側部に絶縁性の金属拡散防止層を備えている。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された導電性層と、該基板上に形成された層間絶縁膜と、該導電性層に接続され、かつ該層間絶縁膜の上表面とほぼ同一の平面をなす表面を有する上層配線層からなり、該層間絶縁膜は少なくとも第1絶縁膜と、該第1絶縁膜に対してエッチングレートの小さい第2絶縁膜と、第3絶縁膜から構成されており、第1絶縁膜、第2絶縁膜には前記導電性層と上層配線層とを接続する第1のコンタクト開口部が形成されており、第3絶縁膜には上層配線層が配置される配線パターン溝が形成された多層配線装置にあって、前記配線パターン溝の側部に絶縁性の金属拡散防止層を備えていることを特徴とする多層配線装置。

FI (2)：

H01L 21/90 A , H01L 21/90 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-067627 Applicant：株式会社東芝
多層配線の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-089083 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-329265 Applicant：松下電器産業株式会社

Show all

Return to Previous Page