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J-GLOBAL ID：200903078870254428

多結晶半導体素子の製造方法

Inventor： 稲垣 浩貴 ,  末永 誠一 ,  鎌田 敦之
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 大胡 典夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999018205
Publication number (International publication number)：2000216090
Application date： Jan. 27, 1999
Publication date： Aug. 04, 2000
Summary：

【要約】【課題】 太陽電池に好適な多結晶シリコン薄膜を高速で、効率よく、低コストで作製する。【解決手段】 半導体微粒子を原料にしてプラズマ溶射法で耐熱性基板4上に形成した半導体薄膜を、窒素を含む不活性ガス中で溶融再結晶化する。

Claim (excerpt)：

耐熱性基板上に半導体薄膜を形成する工程と、窒素を含む不活性ガス中で前記薄膜を加熱して溶融再結晶化して多結晶半導体膜を形成する工程とを具備する事を特徴とする多結晶半導体素子の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205

FI (2)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205

F-Term (30)：

5F045AB01 ,  5F045AB03 ,  5F045AB06 ,  5F045AB34 ,  5F045AC11 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF07 ,  5F045AF10 ,  5F045BB08 ,  5F045BB09 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA13 ,  5F045DA62 ,  5F045EE14 ,  5F045EH10 ,  5F045EH11 ,  5F045HA16 ,  5F045HA18 ,  5F052AA02 ,  5F052AA18 ,  5F052AA28 ,  5F052BB06 ,  5F052CA10 ,  5F052DA01 ,  5F052DB01 ,  5F052DB10 ,  5F052EA02 ,  5F052JA09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• レーザーアニール方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-330731   Applicant：ソニー株式会社
• 多結晶シリコンの形成方法及び形成装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-309497   Applicant：日本真空技術株式会社
• 結晶シリコン薄膜とこれを用いた太陽電池の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-123583   Applicant：信越化学工業株式会社