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J-GLOBAL ID：200903078874986105
電子密度の測定方法及びその装置及び電子密度の制御装置及びプラズマ処理装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994212636
Publication number (International publication number)：1995169590
Application date： Sep. 06, 1994
Publication date： Jul. 04, 1995
Summary：
【要約】【目的】 電子密度の測定に関し,プラズマ中の電子密度を正確に測定し,重金属汚染を防止して一定なプラズマを得る。【構成】 1)プラズマ発生装置において,高周波印加電極またはバイアス電極から生成される電子ビームがプラズマ中に照射されることにより励起される電磁波の最大振幅の周波数を検出し,該周波数より該プラズマ中の電子密度を算出する,2)高周波印加電極またはバイアス電極から生成される電子ビームがプラズマ中に照射されることにより励起される電磁波の周波数を検出する検出器を有し,該検出器が該電磁波を受信するアンテナと該アンテナからの出力を測定する周波数測定装置からなる,3)前記1)により求められた電子密度の変動値を,プラズマのガス圧またはプラズマを発生させている高周波電力に帰還して該電子密度を一定に保つ制御回路を有する。
Claim (excerpt)：
プラズマ発生装置の高周波印加電極またはバイアス電極から生成される電子ビームがプラズマ中に照射されることにより励起される電磁波の最大振幅の周波数を検出し,該周波数より該プラズマ中の電子密度を算出することを特徴とする電子密度の測定方法。
IPC (3)：
H05H 1/00
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
