半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：煤孫耕郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994035472
Publication number (International publication number)：1995221044
Application date： Feb. 08, 1994
Publication date： Aug. 18, 1995
Summary：

【要約】【目的】 Pチャネル拡散領域上とNチャネル拡散領域上で同一熱処理条件下で均一な膜厚を有するシリサイドを形成する。【構成】シリコン基板(1)上の拡散領域(8)(9)に不純物を導入する工程と拡散領域(8)にシリコンイオンを注入する工程と窒素雰囲気中又は酸化性雰囲気で熱処理を施す工程と高融点金属膜を全面に形成する工程と高融点金属シリサイドを形成するための熱処理工程を有している半導体装置の製造方法である。

Claim (excerpt)：

シリコン基板上の拡散領域に不純物を導入する工程と拡散領域にシリコンイオンを注入する工程と窒素雰囲気中又は酸化性雰囲気で熱処理を施す工程と高融点金属膜を全面に形成する工程と高融点金属シリサイドを形成するための熱処理工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/322 , H01L 21/8238 , H01L 27/092

FI (2)：

H01L 27/08 321 F , H01L 27/08 321 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

特開昭56-083935
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-152373 Applicant：セイコーエプソン株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-256938 Applicant：株式会社東芝

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