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J-GLOBAL ID：200903078893530228

プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

Inventor： 大原 和博 ,  安生 健二
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 中村 純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996131656
Publication number (International publication number)：1997320799
Application date： May. 27, 1996
Publication date： Dec. 12, 1997
Summary：

【要約】【課題】 プラズマ処理を基板の全面で均一に行なう。【解決手段】 基板載置ステージ11の基板載置面11aを凹面形状にし、基板載置ステージ11に高周波電源12を接続し、基板載置ステージ11の温度調節を行なう温調器13を設け、基板載置ステージ11に伝熱ガス供給孔14を設け、伝熱ガス供給孔14に一定圧力のHeガスを供給する伝熱ガス供給装置18を設け、基板載置ステージ11の外周部に絶縁体19を設け、絶縁体19を処理室20に取り付け、処理室20にベローズ22を介して昇降板21を取り付け、昇降板21と処理室20との間にバネ23を設け、昇降板21を昇降するエアシリンダ24を設け、昇降板21に基板クランプ25を取り付け、処理室20に基板載置ステージ11と対向する対向電極26を取り付ける。

Claim (excerpt)：

温度制御が可能な基板載置ステージと、上記基板載置ステージと基板との間に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給装置とを有するプラズマ処理装置において、上記基板載置ステージの基板載置面を凹面形状にし、上記基板の周辺部をクランプする基板クランプを設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (10)：

H05H 1/46 ,  C23C 14/34 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/68

FI (10)：

H05H 1/46 M ,  C23C 14/34 J ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/68 N ,  H01L 21/302 C