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J-GLOBAL ID：200903078904524632

半導体集積回路装置の製造方法

Inventor： 田熊 祐一郎 ,  小林 恒雄 ,  中田 健介 ,  野沢 義晴 ,  大城 正晴
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  真空冶金株式会社
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992223091
Publication number (International publication number)：1994204226
Application date： Aug. 24, 1992
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 CCB用はんだバンプのBLM膜として使用するCr/Cu/Au多層膜のスパッタ成膜方式において、BLM膜のCr膜とCu膜との間に作製するCr-Cu混合層膜を、純Cr材と純Cr材から構成されるモザイクターゲットを使用し、本ターゲットをスパッタリングすることで形成し、強固な接続を可能とする半導体集積回路装置の製造方法を提供する。【構成】 CCB用BLM膜であるCr/Cu/Au多層膜中のCr膜とCu膜との間に形成するCr-Cu混合層膜をスパッタ方式で形成するためのモザイクターゲット1に適用され、円盤状の純Cu製ディスク2に、三角形をした16個の純Cr製プレート3を円周等分角度で放射状に埋め込み、さらにCu製の外周リングホルダ4およびセンタホルダ5によって純Cr製プレート3が固定されている。

Claim (excerpt)：

CCB用下地電極膜のCr/Cu/Au多層膜をスパッタ成膜方式で形成する半導体集積回路装置の製造方法であって、前記Cr/Cu/Au多層膜中のCr膜とCu膜との間にCr-Cu混合層膜を形成し、該Cr-Cu混合層膜を形成する場合に、純Cr材と純Cu材とから構成されるモザイクターゲットを用い、該モザイクターゲットをスパッタリングして形成することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/321 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/60 311

FI (2)：

H01L 21/92 D ,  H01L 21/92 F