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J-GLOBAL ID：200903078906233287

HgCdTe半導体装置及びその製造方法

Inventor： 須藤 元 ,  藤原 康治 ,  有永 健児
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996209525
Publication number (International publication number)：1998056197
Application date： Aug. 08, 1996
Publication date： Feb. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】 HgCdTe半導体装置及びその製造方法に関し、チャネル・ストップを簡単な構造及び製造工程によって、再現性良く形成する。【解決手段】 p型HgCdTe層1に複数のn型領域2を設けてフォトダイオードアレイを形成すると共に、このn型領域2の間の被覆膜6とp型HgCdTe層1との間に、負の固定電荷を有する処理層4を設け、この負の固定電荷を有する処理層4の直下にp+ 型領域5を誘起させる。

Claim (excerpt)：

p型HgCdTe層に複数のn型領域を設けてフォトダイオードアレイを形成すると共に、前記n型領域の間の被覆膜と前記p型HgCdTe層との間に、負の固定電荷を有する処理層を設け、前記負の固定電荷を有する処理層の直下にp+ 型領域を誘起させたことを特徴とするHgCdTe半導体装置。

IPC (2)：

H01L 31/10 ,  H01L 31/0264

FI (2)：

H01L 31/10 A ,  H01L 31/08 N