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J-GLOBAL ID：200903078914259830

半導体装置

Inventor： 日▲高▼ 光守
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 秋田 収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993332536
Publication number (International publication number)：1995193165
Application date： Dec. 27, 1993
Publication date： Jul. 28, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置1のボンディングワイヤ7間の短絡を防止する。【構成】 ベース部材2の凹部3内に形成された配線4と前記ベース部材2の凹部3内に塔載された半導体ペレット6の外部端子とがボンディングワイヤ7を介して電気的に接続され、前記ベース部材2の凹部3内に前記半導体ペレット6を被覆するゲル状の樹脂8が充填され、前記ベース部材2にこのベース部材2の凹部3上を覆うキャップ10が固着された半導体装置において、前記半導体ペレット6の角部と前記ベース部材2の凹部3の側壁面との間の間隙aを、前記半導体ペレット6の辺と前記ベース部材2の凹部3の側壁面との間の間隙bに比べて小さく構成する。

Claim (excerpt)：

ベース部材の凹部内に形成された配線と前記ベース部材の凹部内に塔載された半導体ペレットの外部端子とがボンディングワイヤを介して電気的に接続され、前記ベース部材の凹部内に前記半導体ペレットを被覆するゲル状の樹脂が充填され、前記ベース部材にこのベース部材の凹部上を覆うキャップが固着された半導体装置において、前記半導体ペレットの角部と前記ベース部材の凹部の側壁面との間の間隙が、前記半導体ペレットの辺と前記ベース部材の凹部の側壁面との間の間隙に比べて小さく構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/04

FI (3)：

H01L 23/12 W ,  H01L 23/12 P ,  H01L 23/12 J