Pat

J-GLOBAL ID：200903078922243233

磁気抵抗効果素子および磁気変換素子

Inventor： 荒木 悟 ,  宮内 大助
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社
Agent (1)： 皿田 秀夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995194246
Publication number (International publication number)：1996087722
Application date： Jul. 06, 1995
Publication date： Apr. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】 大きなMR変化率を示し、印加磁場が例えば-10〜10Oe程度のきわめて小さい範囲で直線的なMR変化の立ち上がり特性を示し、磁場感度が高く、高周波磁界でのMR傾きが大きく、耐熱温度の高い磁性多層膜を備えてなる磁気抵抗効果素子、およびそれを用いた磁気抵抗効果型ヘッド等の磁気変換素子を提供する。【構成】 磁気抵抗効果素子と、導体膜と、電極部とを含む磁気変換素子であって、前記導体膜は、前記電極部を介して前記磁気抵抗効果素子と導通しており、前記磁気抵抗効果素子は、非磁性金属層と、非磁性金属層の一方の面に形成された強磁性層と、非磁性金属層の他方の面に形成された軟磁性層と、前記強磁性層の磁化の向きをピン止めするために強磁性層の上に形成されたピン止め層とを有する磁性多層膜を備えており、前記強磁性層とピン止め層とは、エピタキシャル成長により接合されているように構成される。

Claim (excerpt)：

磁気抵抗効果素子と、導体膜と、電極部とを含む磁気変換素子であって、前記導体膜は、前記電極部を介して前記磁気抵抗効果素子と導通しており、前記磁気抵抗効果素子は、非磁性金属層と、非磁性金属層の一方の面に形成された強磁性層と、非磁性金属層の他方の面に形成された軟磁性層と、前記強磁性層の磁化の向きをピン止めするために強磁性層の上に形成されたピン止め層とを有する磁性多層膜を備えており、前記強磁性層とピン止め層とは、エピタキシャル成長により接合されていることを特徴とする磁気変換素子。

IPC (6)：

G11B 5/39 ,  G01R 33/09 ,  H01F 10/28 ,  H01F 10/30 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 磁気ヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-296776   Applicant：株式会社日立製作所
• 積層磁性体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-236937   Applicant：住友金属工業株式会社