Pat

J-GLOBAL ID：200903078924752585

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 向川 泰和 ,  川合 敦子
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992166180
Publication number (International publication number)：1994013373
Application date： Jun. 24, 1992
Publication date： Jan. 21, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、プラズマ窒化膜(ガラスコート)中の水素が半導体装置に悪影響を及ぼすのを有効に防止することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明は上記目的を達成するため、プラズマ窒化膜8の下層にプラズマ窒化膜8内の水素を吸収貯蔵するための水素吸蔵膜7を設けるように構成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成されたプラズマ窒化膜と、前記プラズマ窒化膜下に形成され、前記プラズマ窒化膜によって発生される水素を吸収貯蔵するための水素吸蔵膜とを備えた、半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/318 ,  C22C 1/00 ,  C23C 14/10 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316