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J-GLOBAL ID：200903078925876040

ルテニウム錯体、その製造方法、及び薄膜の製造方法

Inventor： 河野 和久 ,  関本 謙一 ,  大島 憲昭 ,  渋田見 哲夫 ,  熊谷 周治 ,  古川 泰志
Applicant, Patent owner： 東ソー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002217225
Publication number (International publication number)：2003342286
Application date： Jul. 25, 2002
Publication date： Dec. 03, 2003
Summary：

【要約】【課題】融点が低く、気化特性に優れ、かつ基板上での成膜温度が低い有機金属化合物を提供し、それを原料としてCVD法によりルテニウム含有薄膜を製造する。【解決手段】一般式[1]【化1】で表される有機ルテニウム化合物[具体例 2,4-ジメチル-ペンタジエニル)(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム]又は一般式[7]【化2】で表される有機ルテニウム化合物[具体例 カルボニルビス(2-メチル-1,3-ペンタジエン)ルテニウム]を原料とし、化学気相蒸着法等によりルテニウム含有薄膜を製造する。

Claim (excerpt)：

一般式[1]【化1】[式中R1、R2、R3、R4は同一または相異なって水素、ハロゲン、低級アシル基、低級アルコキシ基、低級アルコキシカルボニル基、または低級アルキル基を示す。ただしR1〜R4全てが水素である場合、及び、R1が水素でR2〜R4のいずれか1つが水素で残りがメチル基である場合を除く。]で表されることを特徴とする、ハーフサンドイッチ構造有機ルテニウム化合物。

IPC (3)：

C07F 17/02 ,  C07F 15/00 ,  H01L 27/105

FI (3)：

C07F 17/02 ,  C07F 15/00 A ,  H01L 27/10 444 C

F-Term (11)：

4H050AA01 ,  4H050AA02 ,  4H050AB84 ,  4H050AB91 ,  4H050WB11 ,  4H050WB21 ,  5F083FR00 ,  5F083GA27 ,  5F083JA14 ,  5F083JA38 ,  5F083PR21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• ビス(アルキルシクロペンタジエニル)ルテニウム錯 体の製造方法およびそれを用いたルテニウム含有薄膜 の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-225493   Applicant：株式会社高純度化学研究所

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• General Route to the "Half-Open" Metallocenes C5Me5Ru(pentadienyl) and C5Me5Ru(diene)Cl. X-ray Struc
• Half-Open Ruthenocenes Derived from [Ru(C5Me5)Cl]4: Syntheses, Characterizations, and Solid-State St
• Synthesis of Unsymmetrical Ruthenocenes by Gas Phase Electrocyclic Reactions of Pentadienylruthenium
• "Half-Open Metallocenes" of Iron, Ruthenium, and Osmium: Synthesis, Characterization, Photoelectron
• Synthesis and Characterization of Bis(pentadienyl)ruthenium Compounds