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J-GLOBAL ID：200903078934314004
化合物半導体電界効果トランジスタ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
若林 忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997334585
Publication number (International publication number)：1999168107
Application date： Dec. 04, 1997
Publication date： Jun. 22, 1999
Summary：
【要約】【課題】 トランジスタの高速性を失うことなくドレイン・ゲート間の耐圧が向上した化合物半導体電解効果トランジスタを提供する。【解決手段】 ゲート電極で覆われていないチャネル領域であるアンゲート部をゲート電極とドレインとの間に持つ化合物半導体電界効果トランジスタにおいて、該アンゲート部に複数個のアイソレーション領域がチャネル電流方向に設けられ、該アイソレーション領域がゲート電極と接しているようにする。
Claim (excerpt)：
ゲート電極で覆われていないチャネル領域であるアンゲート部をゲート電極とドレインとの間に持つ化合物半導体電界効果トランジスタにおいて、該アンゲート部に複数個のアイソレーション領域がチャネル電流方向に設けられ、該アイソレーション領域がゲート電極と接していることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (2)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
