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J-GLOBAL ID：200903078943363018

表面改質方法及び表面改質装置

Inventor： 宮川 草児 ,  宮川 佳子 ,  西村 芳実 ,  堀部 博志 ,  柴田 雅明
Applicant, Patent owner： 経済産業省産業技術総合研究所長 ,  株式会社栗田製作所 ,  宮川 草児 ,  宮川 佳子
Agent (2)： 中村 茂信 ,  中村 茂信
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000015220
Publication number (International publication number)：2001207259
Application date： Jan. 25, 2000
Publication date： Jul. 31, 2001
Summary：

【要約】【課題】 プラズマ発生用の特別な高周波電力源などの手段を要することなく、被処理物を均等にプラズマで囲うことができ、被処理物のイオン注入による表面改質を均一になし得る。【解決手段】 被処理物1をチャンバ10内に入れ、チャンバ10内を真空引き、ガス導入した後、正の高電圧パルス発生電源60より導体11を介して正の高電圧パルスを被処理物1に印加して、被処理物1近傍をプラズマ状態とし、負の高電圧パルス発生電源50より、負の高電圧パルスを干渉防止回路70を介して導体11に加え、被処理物1に、プラズマ中の+イオンによるイオン注入を行う。

Claim (excerpt)：

チャンバ内に導体を介して被処理物を配し、被処理物周囲をプラズマ状態とした上で、前記導体に負の高電圧パルスを印加して、被処理物にイオン誘引を行う表面改質方法において、前記負の高電圧パルスを印加する導体に、正の電圧を印加して、被処理物取り付け台と被処理物周囲にグロー放電を発生させて、被処理物の形状に沿ったプラズマを生成させて、そのプラズマ中のイオンを負の高電圧パルスで誘引衝突注入させて表面改質するようにしたことを特徴とする表面改質方法。

IPC (2)：

C23C 14/48 ,  C23C 14/54

FI (2)：

C23C 14/48 B ,  C23C 14/54 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-280055
  
• 特開昭58-029240
  
• イオン打込装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-239310   Applicant：株式会社日立製作所, 日立那珂エレクトロニクス株式会社