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J-GLOBAL ID：200903078948649629

半導体パッケージ

Inventor： 藤井 博満 ,  三吉 康晴 ,  川上 誠 ,  平野 健治
Applicant, Patent owner： 住友特殊金属株式会社
Agent (1)： 押田 良久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992078939
Publication number (International publication number)：1993243412
Application date： Feb. 28, 1992
Publication date： Sep. 21, 1993
Summary：

【要約】【目的】 I/O回路自体及び周辺から発生する電磁波を積極的に吸収して漏洩を防止でき、外部からの電磁波の侵入も防止でき、かついずれの形態のデバイスにも容易に適用できる構成からなる半導体パッケージの提供。【構成】 ヒートスプレッダ10を囲むように着設したNi-Zn系焼結フェライトからなる支持枠11には所定のスルーホールが設けてあり、これを通してリードフレーム13が支持枠11の表裏面に所要パターンで露出し、フェライト製支持枠11の上面側のインナーリード部とヒートスプレッダ10上に搭載したLSIチップ12とをワイヤーボンディグしたのち、これらを被覆するように、Ni-Zn系焼結フェライトからなるキャップ15を絶縁材16にて封着してある。【効果】 LSIやインナーリードから発生する電磁波がキャップなどの軟磁性材料に吸収されて、外部への漏洩が著しく減少する。

Claim (excerpt)：

半導体チップあるいはさらに他電子デバイスを搭載してこれを封着する半導体パッケージにおいて、搭載した半導体チップあるいはさらに他電子デバイスを封着するためのキャップが軟磁性材料であることを特徴とする半導体パッケージ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭64-041248
  
• 特開平3-253062
  
• 特開平3-131054