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J-GLOBAL ID：200903078951682564

半導体基板の研磨方法とこれを用いた半導体基板の製造方法

Inventor： 酒井 慎介
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアルシリコン株式会社 ,  三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 佐藤 隆久 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993005818
Publication number (International publication number)：1994216093
Application date： Jan. 18, 1993
Publication date： Aug. 05, 1994
Summary：

【要約】【目的】段差を有する酸化膜を直接研磨することにより、張り合わせなどの半導体基板の製造工程を簡略化する。【構成】活性層基板Aの少なくとも片面に段差を有する酸化シリコン膜3を形成し、該酸化シリコン膜3を、酸化セリウムを主成分とする研磨剤を用いて剛体定盤により研磨する。これにより得られた接合面3aに支持基板Bを張り合わせ,SOI構造のウェーハを得る。接合用に形成されていた酸化シリコン膜上のポリシリコン層を省略することができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板の表面に形成され段差を有する酸化膜を、酸化セリウムを主成分とする研磨剤を用いて剛体定盤により研磨することを特徴とする半導体基板の研磨方法。

IPC (3)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  H01L 27/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭48-062380
  
• 特開昭63-228611
  
• 特開平2-181924
  
• 特開平4-373128
  
• 特開平2-081431