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J-GLOBAL ID：200903078956814663

半導体光素子の製造方法

Inventor： 福島 淳
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 岩佐 義幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992250330
Publication number (International publication number)：1994104480
Application date： Sep. 21, 1992
Publication date： Apr. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 モノリシックレンズ付きの半導体光素子の製造方法において、工数を減らし、歩留りを上げる。【構成】 レンズ部の周囲をレンズ頂点より高くすることを特徴とし、レンズ周囲に2層レジストあるいは酸化膜や窒化膜マスクを付け、ドライエッチングによりレンズを形成する。これにより、精密な高さ調整を行うことができ、更にレンズ部の傷を防ぎ、かつ外観不良等をなくす。

Claim (excerpt)：

p+ 領域を拡散によって作成する拡散工程と、メサ形状に選択エッチングを行うエッチング工程と、パッシベーション膜を成膜する成膜工程と、p型およびn型のオーミック電極とアロイを行う工程と、金バンプを形成する工程と、半導体基板を薄くする研磨工程と、裏面にレンズを形成するエッチング工程と、反射防止膜を形成する成膜工程とを含む半導体光素子の製造方法において、前記レンズを形成するときに、ドライエッチング技術によりレンズの周りにレンズの頂点より高いメサ部分を形成することを特徴とする半導体光素子の製造方法。