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J-GLOBAL ID：200903078965009420
低温焼成セラミツク多層配線基板
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991123144
Publication number (International publication number)：1993063367
Application date： Apr. 26, 1991
Publication date： Mar. 12, 1993
Summary：
【要約】【目的】 金ボンディングパッド部のピッチおよびサイズを最小にすることができ、高密度化を達成することができる低温焼成セラミック多層配線基板を得る。【構成】 セラミック多層配線基板の表面に少なくとも金ボンディングパッド部6を有する低温焼成セラミック多層配線基板において、前記金ボンディングパッド部6の直下に金を導体材料としたビアホール7を設ける。
Claim (excerpt)：
基板表面に少なくとも金ボンディングパッド部を有する低温焼成セラミック多層配線基板において、前記金ボンディングパッド部の直下に金を導体材料としたビアホールを有することを特徴とする低温焼成セラミック多層配線基板。
IPC (4)：
H05K 3/46
, H01L 23/12
, H01L 23/15
, H05K 3/34
H01L 23/12 N
, H01L 23/14 C
