低抵抗ITO薄膜及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤村康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000187755
Publication number (International publication number)：2001089846
Application date： Jun. 22, 2000
Publication date： Apr. 03, 2001
Summary：

【要約】【課題】 1×10-4Ωcm未満の抵抗率を有する低抵抗ITO薄膜とその製造方法等を提供する。【解決手段】パルス・レーザー・蒸着法を用いて結晶性基板(例えば、YSZ単結晶基板)上に基板温度500〜1000°CにおいてITO膜を形成する。

Claim (excerpt)：

パルス・レーザー・蒸着法を用いて結晶性基板上に基板温度500〜1000°CにおいてITO膜を堆積させることを特徴とする低抵抗ITO膜の製造方法。

IPC (8)：

C23C 14/28 , C01G 19/00 , C23C 14/08 , C23C 14/34 , C23C 16/40 , H01B 5/14 , H01B 13/00 503 , H01L 31/04

FI (8)：

C23C 14/28 , C01G 19/00 A , C23C 14/08 D , C23C 14/34 H , C23C 16/40 , H01B 5/14 A , H01B 13/00 503 B , H01L 31/04 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

透明導電膜及びその形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-055393 Applicant：株式会社日立製作所

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

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