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J-GLOBAL ID：200903078971302229

シリコン酸化膜の形成方法

Inventor： 太田 昌栄
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 清水 守 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992141874
Publication number (International publication number)：1993335301
Application date： Jun. 03, 1992
Publication date： Dec. 17, 1993
Summary：

【要約】【目的】 酸化膜を形成する熱処理炉内で高温水素処理と酸化膜の形成処理を連続して行い、シリコンウエハ上に付着する極微細なパーティクル及び自然酸化膜を除去する。【構成】 シリコンウエハ上に形成されるシリコン酸化膜の形成方法において、前記シリコンウエハを炉内へ低温下で、窒素雰囲気で挿入し、該窒素を水素に置換し、炉温を高めて高温水素処理を行い、前記水素を不活性ガスで置換し、その後、大気に晒すことなく前記炉内において連続して酸化処理を行う。

Claim (excerpt)：

シリコンウエハ上に形成されるシリコン酸化膜の形成方法において、(a)前記シリコンウエハを炉内へ低温下で、窒素雰囲気で挿入し、(b)該窒素を水素に置換し、炉温を高めて高温水素処理を行い、(c)前記水素を不活性ガスで置換し、(d)その後、大気に晒すことなく前記炉内において連続して酸化処理を行うことを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。