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J-GLOBAL ID：200903078976078238

半導体基材の作製方法

Inventor： 山方 憲二 ,  米原 隆夫
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991292258
Publication number (International publication number)：1993102445
Application date： Oct. 11, 1991
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 薄膜が割れたり、剥がれたり、また基体が大きく反ったりすることがないSOI基体を形成する。【構成】 多孔質化シリコン単結晶基体101の一表面上にシリコン単結晶をエピタキシャル成長する工程と、エピタキシャル層102の表面を任意の支持基体110と接着剤103を介して貼り合わせる工程と、多孔質化シリコン単結晶基体101を選択的にエッチングする工程と、エピタキシャル層102を透明絶縁性基体111と貼り合わせる工程と、接着剤103を除去することにより支持基体110とエピタキシャル層102とを分離する工程と、透明絶縁性基体111と密着したエピタキシャル層102に熱処理を施す工程とを有する。

Claim (excerpt)：

シリコン単結晶基体の全体を陽極化成により多孔質化する工程と、多孔質化したシリコン単結晶基体の一表面上にシリコン単結晶をエピタキシャル成長する工程と、該エピタキシャル層の表面を任意の支持基体と接着剤を介して貼り合わせる工程と、前記多孔質化したシリコン単結晶基体を選択的にエッチングする工程と、前記エピタキシャル層をSiO2 を主成分とする透明絶縁性基体と貼り合わせる工程と、前記接着剤を除去することにより前記支持基体と前記エピタキシャル層とを分離する工程と、前記透明絶縁性基体と密着した前記エピタキシャル層に熱処理を施す工程とを有する半導体基材の作製方法。

IPC (2)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02