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J-GLOBAL ID：200903078978820616

磁界検出素子

Inventor： 中居 倫夫 ,  山口 正洋 ,  荒井 賢一 ,  若生 直樹
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団 ,  宮城県 ,  エヌイーシートーキン株式会社
Agent (1)： 清水 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001327068
Publication number (International publication number)：2003130932
Application date： Oct. 25, 2001
Publication date： May. 08, 2003
Summary：

【要約】【課題】 素子の動作点となるバイアス磁界を低減して素子駆動の消費電力の少ない、小型、低消費電力の磁界検出素子を提供する。【解決手段】 磁性体薄膜構造を有する素子に、高周波電源から交流電流を供給し、外部磁場に応じた電気的特性の変化を検出する磁界検出素子において、薄膜磁性体の磁区構造により発現する磁壁の中で還流磁区4が生成する磁壁以外の磁壁3が通電方向に対してなす角度の小角側θを20度以上70度以下となるようにした。

Claim (excerpt)：

磁性体薄膜構造を有する素子に、高周波電源から交流電流を供給し、外部磁場に応じた電気的特性の変化を検出する磁界検出素子において、薄膜磁性体の磁区構造により発現する磁壁の中で、還流磁区が生成する磁壁以外の磁壁が通電方向に対してなす角度の小角側を20度以上70度以下としたことを特徴とする磁界検出素子。

IPC (3)：

G01R 33/02 ,  H01L 43/00 ,  H01F 10/08

FI (3)：

G01R 33/02 D ,  H01L 43/00 ,  H01F 10/08

F-Term (6)：

2G017AA01 ,  2G017AC09 ,  2G017AD51 ,  2G017AD65 ,  5E049AC05 ,  5E049BA16