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J-GLOBAL ID：200903078981559350
平面コイルの製造方法および製造装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995238783
Publication number (International publication number)：1997082549
Application date： Sep. 18, 1995
Publication date： Mar. 28, 1997
Summary：
【要約】【課題】 絶縁被膜中の気泡の発生をほぼ解消し、1回の絶縁ワニスの塗布によって平面コイル素子上に形成される絶縁被膜の膜厚を厚くできる、生産性に優れた平面コイルの製造方法および平面コイルの製造装置を提供すること。【解決手段】絶縁層上に導体パターンを形成した平面コイル素子を、前記平面コイル素子を上にして回転させつつ該平面コイル素子上に絶縁ワニスを滴下して絶縁被覆を形成する平面コイルの製造方法において、前記平面コイル素子を前記絶縁ワニスの溶剤の飽和雰囲気中で加熱しつつ加熱された絶縁ワニスを滴下して絶縁被膜を形成することを特徴とする平面コイルの製造方法および内部に冷却媒体通路を有する回転基台と、前記回転基台上の載置物を加熱する加熱手段と、絶縁ワニスを加熱する絶縁ワニス加熱手段と、前記回転基台上に載置した前記載置物に前記絶縁ワニスを滴下する滴下手段と、前記回転基台を覆う密閉室と、前記密閉室の雰囲気を前記絶縁ワニスの溶剤の飽和雰囲気とする雰囲気調整手段とを具備したことを特徴とする平面コイルの製造装置による。
Claim (excerpt)：
絶縁層上に導体パターンを形成した平面コイル素子を、前記平面コイル素子を上にして回転させつつ該平面コイル素子上に絶縁ワニスを滴下して絶縁被覆を形成する平面コイルの製造方法において、前記平面コイル素子を前記絶縁ワニスの溶剤の飽和雰囲気中で加熱しつつ加熱された絶縁ワニスを滴下して絶縁被膜を形成することを特徴とする平面コイルの製造方法。
IPC (3)：
H01F 41/04
, H01F 27/32
, H01F 41/00
H01F 41/04 C
, H01F 27/32 Z
, H01F 41/00 C
