Pat

J-GLOBAL ID：200903078985778803

III-V族化合物半導体エピタキシャルウェハ

Inventor： 高野 和人 ,  土屋 忠厳
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 絹谷 信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999279528
Publication number (International publication number)：2001102568
Application date： Sep. 30, 1999
Publication date： Apr. 13, 2001
Summary：

【要約】【課題】 電気的特性を向上させたIII-V族化合物半導体エピタキシャルウェハを提供する。【解決手段】 InGaAsからなるチャネル層30のヘテロ界面付近でのIn組成が、InGaPからなる電子供給層4の組成と同じ組成であり、チャネル層30内のIn組成が連続的に変化しているので、In原子の拡散が抑止され優れた界面急峻性が得られる。このようなIII-V族化合物半導体エピタキシャルウェハを用いることにより、高電子移動度のHEMTが得られる。

Claim (excerpt)：

基板上に、チャネル層と、該チャネル層よりも電子親和力の小さい電子供給層とが形成されたIII-V族化合物半導体エピタキシャルウェハにおいて、上記基板がGaAsからなり、上記チャネル層がInGaAsからなり、上記電子供給層がInGaPからなり、上記チャネル層の界面付近の一部の層の膜厚が臨界膜厚以下であり、かつInGaPと同じIn組成であることを特徴とするIII-V族化合物半導体エピタキシャルウェハ。

IPC (7)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323 ,  H01L 29/20

FI (5)：

C30B 29/40 502 H ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323 ,  H01L 29/20 ,  H01L 29/80 H

F-Term (39)：

4G077AA03 ,  4G077BE47 ,  4G077DB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  5F045AB10 ,  5F045AB17 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC19 ,  5F045AD10 ,  5F045AF04 ,  5F045BB05 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA07 ,  5F045CA12 ,  5F045DA52 ,  5F045DA58 ,  5F045DA66 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GK05 ,  5F102GL00 ,  5F102GL04 ,  5F102GL07 ,  5F102GL08 ,  5F102GL16 ,  5F102GL17 ,  5F102GM04 ,  5F102GM10 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01