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J-GLOBAL ID：200903078990783777
半導体発光素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中野 雅房
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998064835
Publication number (International publication number)：1999251639
Application date： Feb. 27, 1998
Publication date： Sep. 17, 1999
Summary：
【要約】【課題】 光取り出し効率が高く、しかも簡易に製造することができてコストも安価な半導体発光素子を提供する。【解決手段】 n-GaAs基板2の上にn-GaAs層3とp-GaAs層4を積層し、p-GaAs層4の上面中央部にp側電極5を形成し、その周囲の光取り出し面6を凸状に湾曲させてあり、n-GaAs基板2の下面全面にn側電極7を形成している。
Claim (excerpt)：
PN接合を有し、当該接合面で発光した光を光取り出し面から外部へ取り出すようにした面出射型の半導体発光素子において、光取り出し側の面のうち前記光取り出し面を除く領域に一方の電極を設け、光取り出し側と反対面に他方の電極を設け、前記光取り出し面を凸状に湾曲させたことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2)：
FI (2)：
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